제조업체 제품 번호:
SSM3K106TU(TE85L)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM3K106TU(TE85L)-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
상세 설명:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
재고:
12889858
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제출
SSM3K106TU(TE85L) 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
π-MOSVI
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
310mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 100µA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
36 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
UFM
패키지 / 케이스
3-SMD, Flat Leads
기본 제품 번호
SSM3K106
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM3K106TU(TE85L)CT
SSM3K106TU(TE85L)DKR
SSM3K106TUTE85L
SSM3K106TU(TE85L)TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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