제조업체 제품 번호:
SSM3K35MFV,L3F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM3K35MFV,L3F-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
상세 설명:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
재고:
12890914
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제출
SSM3K35MFV,L3F 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150mW (Ta)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VESM
패키지 / 케이스
SOT-723
기본 제품 번호
SSM3K35
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM3K35MFVL3F
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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