제조업체 제품 번호:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
상세 설명:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
재고:
12889259
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SSM6J206FE(TE85L,F 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
335 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
ES6
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
기본 제품 번호
SSM6J206
추가 정보
다른 이름들
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
