제조업체 제품 번호:
SSM6J216FE,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM6J216FE,LF-DG
설명:
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
상세 설명:
P-Channel 12 V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6
재고:
800 새로운 원본 재고 있음
12891088
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제출
SSM6J216FE,LF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.7 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1040 pF @ 12 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
ES6
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
기본 제품 번호
SSM6J216
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM6J216FELFDKR
SSM6J216FELF
SSM6J216FELFCT
SSM6J216FE,LF(A
SSM6J216FELF-DG
SSM6J216FELFTR
SSM6J216FELF(A
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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