제조업체 제품 번호:
SSM6J501NU,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM6J501NU,LF-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
상세 설명:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
재고:
106283 새로운 원본 재고 있음
12889406
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제출
SSM6J501NU,LF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29.9 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2600 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스
6-WDFN Exposed Pad
기본 제품 번호
SSM6J501
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NULF(TDKR
SSM6J501NULFCT
SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TDKR-DG
SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULFDKR
SSM6J501NULF(TTR-DG
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF(TCT-DG
SSM6J501NULFTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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