제조업체 제품 번호:
SSM6N17FU(TE85L,F)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM6N17FU(TE85L,F)-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
상세 설명:
Mosfet Array 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount US6
재고:
4 새로운 원본 재고 있음
12890166
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제출
SSM6N17FU(TE85L,F) 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
50V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 1µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7pF @ 3V
전력 - 최대
200mW (Ta)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
US6
기본 제품 번호
SSM6N17
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM6N17FU(TE85LF)TR
SSM6N17FU(TE85LF)DKR
SSM6N17FU(TE85LF)CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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