제조업체 제품 번호:
SSM6N35FE,LM
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM6N35FE,LM-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
상세 설명:
Mosfet Array 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6
재고:
3450 새로운 원본 재고 있음
12889583
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제출
SSM6N35FE,LM 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180mA
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9.5pF @ 3V
전력 - 최대
150mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
ES6
기본 제품 번호
SSM6N35
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM6N35FE,LM(T
SSM6N35FE(TE85LF)CT-DG
SSM6N35FE(TE85LF)DKR-DG
SSM6N35FE(TE85L,F)
SSM6N35FELMCT
SSM6N35FE(TE85LF)TR-DG
SSM6N35FETE85LF
SSM6N35FE(TE85LF)DKR
SSM6N35FE,LM(B
SSM6N35FELMDKR
SSM6N35FE(TE85LF)CT
SSM6N35FE(TE85LF)TR
SSM6N35FELMTR
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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