TJ10S04M3L(T6L1,NQ
제조업체 제품 번호:

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TJ10S04M3L(T6L1,NQ-DG

설명:

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
상세 설명:
P-Channel 40 V 10A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+

재고:

1995 새로운 원본 재고 있음
12891444
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제출

TJ10S04M3L(T6L1,NQ 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
44mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+10V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
930 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
27W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK+
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TJ10S04

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
264-TJ10S04M3L(T6L1,NQDKR
TJ10S04M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ10S04M3L(T6L1,NQCT
TJ10S04M3L(T6L1NQ
264-TJ10S04M3L(T6L1,NQTR
TJ10S04M3LT6L1NQ
표준 패키지
2,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IXTY32P05T
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
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IXTY32P05T-DG
단가
2.07
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