제조업체 제품 번호:
TJ20A10M3(STA4,Q
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TJ20A10M3(STA4,Q-DG
설명:
TJ20A10M3(STA4,Q
상세 설명:
P-Channel 100 V 20A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
재고:
12991587
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제출
TJ20A10M3(STA4,Q 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5500 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
35W (Tc)
작동 온도
150°C
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220SIS
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
TJ20A10
추가 정보
다른 이름들
264-TJ20A10M3(STA4Q
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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