제조업체 제품 번호:
TK090Z65Z,S1F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK090Z65Z,S1F-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
상세 설명:
N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
재고:
25 새로운 원본 재고 있음
12976036
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TK090Z65Z,S1F 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
DTMOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1.27mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2780 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
230W (Tc)
작동 온도
150°C
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-4L(T)
패키지 / 케이스
TO-247-4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-TK090Z65Z,S1F-DG
Q13998932
264-TK090Z65Z,S1F
264-TK090Z65ZS1F
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
SQJ140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
