TK12A50D(STA4,Q,M)
제조업체 제품 번호:

TK12A50D(STA4,Q,M)

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TK12A50D(STA4,Q,M)-DG

설명:

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
상세 설명:
N-Channel 500 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

재고:

5 새로운 원본 재고 있음
12890331
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TK12A50D(STA4,Q,M) 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
π-MOSVII
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
520mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
45W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220SIS
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
TK12A50

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
TK12A50DSTA4QM
TK12A50D(STA4QM)
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRFIB7N50APBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
813
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IRFIB7N50APBF-DG
단가
1.31
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