제조업체 제품 번호:
TK14E65W,S1X
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK14E65W,S1X-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
상세 설명:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
50 새로운 원본 재고 있음
12891040
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제출
TK14E65W,S1X 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
DTMOSIV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 690µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
130W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
TK14E65
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TK14E65WS1X
TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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