제조업체 제품 번호:
TK160F10N1L,LQ
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK160F10N1L,LQ-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
상세 설명:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
재고:
12891217
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제출
TK160F10N1L,LQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVIII-H
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
160A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10100 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
375W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-220SM(W)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
TK160F10
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK160F10N1L,LXGQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
8900
부품 번호
TK160F10N1L,LXGQ-DG
단가
1.53
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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