제조업체 제품 번호:
TK290A65Y,S4X
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK290A65Y,S4X-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
상세 설명:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
재고:
12889324
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제출
TK290A65Y,S4X 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
DTMOSV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 450µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
730 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
35W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220SIS
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
TK290A65
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TK290A65YS4X(S
TK290A65YS4X
TK290A65Y,S4X(S
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPA80R280P7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
486
부품 번호
IPA80R280P7XKSA1-DG
단가
1.32
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