제조업체 제품 번호:
TK3A60DA(Q,M)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK3A60DA(Q,M)-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
상세 설명:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
재고:
1 새로운 원본 재고 있음
12890606
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TK3A60DA(Q,M) 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
π-MOSVII
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
380 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
30W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220SIS
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
TK3A60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
TK3A60DA(Q)-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK3A60DA(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
47
부품 번호
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
단가
0.40
대체 유형
Direct
DIGI 인증
관련 상품
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
