제조업체 제품 번호:
TK50E06K3A,S1X(S
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK50E06K3A,S1X(S-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 50A (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12889730
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제출
TK50E06K3A,S1X(S 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIV
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
54 nC @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
TK50E06
추가 정보
다른 이름들
TK50E06K3AS1X(S
TK50E06K3AS1XS
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK33S10N1L,LQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1997
부품 번호
TK33S10N1L,LQ-DG
단가
0.70
대체 유형
Similar
부품 번호
IRFB3607PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3741
부품 번호
IRFB3607PBF-DG
단가
0.41
대체 유형
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