제조업체 제품 번호:
TK60P03M1,RQ(S
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK60P03M1,RQ(S-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
상세 설명:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
12889364
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제출
TK60P03M1,RQ(S 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSVI-H
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2700 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
63W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TK60P03
추가 정보
다른 이름들
TK60P03M1RQ(S
TK60P03M1RQS
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFR3709ZTRLPBF
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