제조업체 제품 번호:
TK62J60W,S1VQ
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TK62J60W,S1VQ-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
상세 설명:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
재고:
4 새로운 원본 재고 있음
12949830
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
B1hn
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TK62J60W,S1VQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
DTMOSIV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
38mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.7V @ 3.1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6500 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
400W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3P(N)
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
기본 제품 번호
TK62J60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
