TK6P60W,RVQ
제조업체 제품 번호:

TK6P60W,RVQ

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TK6P60W,RVQ-DG

설명:

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK

재고:

1999 새로운 원본 재고 있음
12889813
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제출

TK6P60W,RVQ 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
DTMOSIV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.7V @ 310µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
390 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
60W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TK6P60

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
264-TK6P60W,RVQCT
TK6P60WRVQDKR-DG
264-TK6P60W,RVQDKR
TK6P60WRVQDKR
TK6P60WRVQCT
TK6P60WRVQTR
TK6P60W,RVQ(S
TK6P60WRVQ
TK6P60WRVQCT-DG
TK6P60WRVQTR-DG
264-TK6P60W,RVQTR
표준 패키지
2,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPD80R750P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4184
부품 번호
IPD80R750P7ATMA1-DG
단가
0.54
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