TPC6109-H(TE85L,FM
제조업체 제품 번호:

TPC6109-H(TE85L,FM

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TPC6109-H(TE85L,FM-DG

설명:

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
상세 설명:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)

재고:

12891136
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제출

TPC6109-H(TE85L,FM 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIII-H
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
59mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
490 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VS-6 (2.9x2.8)
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
TPC6109

추가 정보

다른 이름들
TPC6109-HTE85LFDKR-DG
TPC6109-HTE85LFTR
TPC6109-H(TE85LFMTR
TPC6109-HTE85LFCT
TPC6109-H(TE85L,F)
TPC6109-H(TE85LFMDKR
TPC6109-H(TE85LFMCT
TPC6109-HTE85LFDKR
TPC6109-HTE85LFCT-DG
TPC6109-HTE85LFTR-DG
TPC6109HTE85LFM
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
RRQ045P03TR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
785
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RRQ045P03TR-DG
단가
0.30
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