제조업체 제품 번호:
TPC8212-H(TE12LQ,M
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TPC8212-H(TE12LQ,M-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
상세 설명:
Mosfet Array 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
재고:
12891085
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제출
TPC8212-H(TE12LQ,M 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
21mOhm @ 3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
840pF @ 10V
전력 - 최대
450mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOP (5.5x6.0)
기본 제품 번호
TPC8212
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
DMN3033LSD-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
2251
부품 번호
DMN3033LSD-13-DG
단가
0.21
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Infineon Technologies
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단가
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