TPCC8006-H(TE12LQM
제조업체 제품 번호:

TPCC8006-H(TE12LQM

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TPCC8006-H(TE12LQM-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
상세 설명:
N-Channel 30 V 22A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)

재고:

12891260
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

TPCC8006-H(TE12LQM 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSVI-H
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2200 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta), 27W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad
기본 제품 번호
TPCC8006

추가 정보

다른 이름들
TPCC8006-H(TE12LQMDKR
TPCC8006-H(TE12LQMCT
TPCC8006-H(TE12LQMTR
TPCC8006HTE12LQM
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
TPN8R903NL,LQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
5561
부품 번호
TPN8R903NL,LQ-DG
단가
0.22
대체 유형
Direct
부품 번호
CSD17308Q3
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
36157
부품 번호
CSD17308Q3-DG
단가
0.28
대체 유형
Similar
부품 번호
RQ3E130BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1954
부품 번호
RQ3E130BNTB-DG
단가
0.15
대체 유형
Similar
부품 번호
STL11N3LLH6
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2745
부품 번호
STL11N3LLH6-DG
단가
0.49
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
toshiba-semiconductor-and-storage

2SJ380(F)

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R204PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCC8002-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON