TPCC8008(TE12L,QM)
제조업체 제품 번호:

TPCC8008(TE12L,QM)

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TPCC8008(TE12L,QM)-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
상세 설명:
N-Channel 30 V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)

재고:

12891005
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TPCC8008(TE12L,QM) 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIV
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1A
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1600 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta), 30W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad
기본 제품 번호
TPCC8008

추가 정보

다른 이름들
TPCC8008(TE12LQM)CT
TPCC8008TE12LQM
TPCC8008(TE12LQM)TR
TPCC8008(TE12LQM)DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
RQ3E130BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1954
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RQ3E130BNTB-DG
단가
0.15
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