제조업체 제품 번호:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
상세 설명:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
재고:
12890829
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TPCF8201(TE85L,F,M 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
590pF @ 10V
전력 - 최대
330mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지
VS-8 (2.9x1.5)
기본 제품 번호
TPCF8201
추가 정보
다른 이름들
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
TPC8211(TE12L,Q,M)
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
SSM6L61NU,LF
MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
SSM6N16FUTE85LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6