TPCF8B01(TE85L,F,M
제조업체 제품 번호:

TPCF8B01(TE85L,F,M

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

TPCF8B01(TE85L,F,M-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
상세 설명:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)

재고:

12890298
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TPCF8B01(TE85L,F,M 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIII
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
470 pF @ 10 V
FET 기능
Schottky Diode (Isolated)
전력 손실(최대)
330mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VS-8 (2.9x1.5)
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
기본 제품 번호
TPCF8B01

추가 정보

다른 이름들
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
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TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
표준 패키지
4,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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