제조업체 제품 번호:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TPN4R712MD,L1Q-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
상세 설명:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
재고:
7052 새로운 원본 재고 있음
12890723
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제출
TPN4R712MD,L1Q 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
36A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4300 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
42W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-TSON Advance (3.1x3.1)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
TPN4R712
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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