제조업체 제품 번호:
TPN6R303NC,LQ
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
TPN6R303NC,LQ-DG
설명:
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
상세 설명:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
재고:
12890585
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제출
TPN6R303NC,LQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVIII
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1370 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta), 19W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-TSON Advance (3.1x3.1)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
TPN6R303
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TPN6R303NCLQCT
TPN6R303NCLQTR
TPN6R303NCLQ
TPN6R303NCLQDKR
TPN6R303NC,LQ(S
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RJK03M5DPA-00#J5A
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
6000
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단가
0.54
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