제조업체 제품 번호:
XPH2R106NC,L1XHQ
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
XPH2R106NC,L1XHQ-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
상세 설명:
N-Channel 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
재고:
3839 새로운 원본 재고 있음
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제출
XPH2R106NC,L1XHQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVIII-H
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
110A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 55A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6900 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
960mW (Ta), 170W (Tc)
작동 온도
175°C
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
XPH2R106
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-XPH2R106NCL1XHQCT
XPH2R106NC,L1XHQ(O
264-XPH2R106NCL1XHQTR
264-XPH2R106NCL1XHQDKR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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