제조업체 제품 번호:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
XPW4R10ANB,L1XHQ-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
상세 설명:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
재고:
16106 새로운 원본 재고 있음
12949147
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제출
XPW4R10ANB,L1XHQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
70A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4970 pF @ 10 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
170W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-DSOP Advance
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR
264-XPW4R10ANB,L1XHQTR
264-XPW4R10ANB,L1XHQCT
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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