제조업체 제품 번호:
TP65H035G4QS
Product Overview
제조사:
Transphorm
부품 번호:
TP65H035G4QS-DG
설명:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
상세 설명:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL
재고:
13259168
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제출
TP65H035G4QS 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Transphorm
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SuperGaN®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
156W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TOLL
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
추가 정보
다른 이름들
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
DIGI 인증
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