제조업체 제품 번호:
TP65H035WS
Product Overview
제조사:
Transphorm
부품 번호:
TP65H035WS-DG
설명:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
재고:
863 새로운 원본 재고 있음
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제출
TP65H035WS 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Transphorm
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
12V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
156W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
TP65H035
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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