제조업체 제품 번호:
TPH3208PD
Product Overview
제조사:
Transphorm
부품 번호:
TPH3208PD-DG
설명:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
13445848
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제출
TPH3208PD 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Transphorm
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.6V @ 300µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
96W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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