제조업체 제품 번호:
UF3C065080B7S
Product Overview
제조사:
Qorvo
부품 번호:
UF3C065080B7S-DG
설명:
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
상세 설명:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
재고:
2961 새로운 원본 재고 있음
12987825
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제출
UF3C065080B7S 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Qorvo
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Cascode SiCJFET)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(일) (최대) @ Id
6V @ 10mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
760 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
136.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK-7
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
기본 제품 번호
UF3C065080
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2312-UF3C065080B7STR
2312-UF3C065080B7SCT
2312-UF3C065080B7SDKR
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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