제조업체 제품 번호:
1N65G
Product Overview
제조사:
UMW
부품 번호:
1N65G-DG
설명:
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
상세 설명:
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223
재고:
2490 새로운 원본 재고 있음
12991441
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제출
1N65G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
UMW
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
UMW
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-223
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
4518-1N65GCT
4518-1N65GDKR
4518-1N65GTR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
DIGI 인증
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