IRF710S
제조업체 제품 번호:

IRF710S

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

IRF710S-DG

설명:

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

재고:

12892784
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IRF710S 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
400 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IRF710

추가 정보

다른 이름들
*IRF710S
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF710SPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
IRF710SPBF-DG
단가
0.59
대체 유형
Direct
DIGI 인증
관련 상품
taiwan-semiconductor

TSM80N950CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1N45CT A3G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

vishay-siliconix

IRFBC40STRR

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

2N6661-2

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39