제조업체 제품 번호:
IRF9Z30
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRF9Z30-DG
설명:
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
상세 설명:
P-Channel 50 V 18A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
12864598
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제출
IRF9Z30 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
50 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
74W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IRF9
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
*IRF9Z30
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF9Z34NPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
78565
부품 번호
IRF9Z34NPBF-DG
단가
0.32
대체 유형
Direct
부품 번호
IRF9Z30PBF-BE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
8860
부품 번호
IRF9Z30PBF-BE3-DG
단가
1.04
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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