제조업체 제품 번호:
IRFB9N60A
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFB9N60A-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
12953726
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFB9N60A 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
170W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IRFB9N60
추가 정보
다른 이름들
*IRFB9N60A
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SPP07N60C3XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
SPP07N60C3XKSA1-DG
단가
1.02
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP10NK60Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
905
부품 번호
STP10NK60Z-DG
단가
1.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP12NK80Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
707
부품 번호
STP12NK80Z-DG
단가
1.56
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IPC65SR048CFDAE8206X2SA1
MOSFET N-CH
IRF644NSPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
IRFRC20TRRPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
