제조업체 제품 번호:
IRFBC20STRR
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFBC20STRR-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12893197
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFBC20STRR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IRFBC20
추가 정보
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFBC20STRLPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
416
부품 번호
IRFBC20STRLPBF-DG
단가
1.14
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
IRFD213
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
FA38SA50LC
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
IRFBC40
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
