제조업체 제품 번호:
IRFBC30S
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFBC30S-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12906086
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFBC30S 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IRFBC30
추가 정보
다른 이름들
*IRFBC30S
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB6N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
11994
부품 번호
STB6N60M2-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFBC30SPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
IRFBC30SPBF-DG
단가
1.41
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
STB4NK60ZT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
4369
부품 번호
STB4NK60ZT4-DG
단가
0.77
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRFR320PBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IRF830A
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
IRFBC30LPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO262-3
