제조업체 제품 번호:
IRFBC40ASTRRPBF
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFBC40ASTRRPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12953817
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFBC40ASTRRPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1036 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IRFBC40
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB6N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
11994
부품 번호
STB6N60M2-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFBC40ASTRLPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
600
부품 번호
IRFBC40ASTRLPBF-DG
단가
1.96
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
STD7ANM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3584
부품 번호
STD7ANM60N-DG
단가
0.58
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
R6004KNJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
R6004KNJTL-DG
단가
0.81
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SIHFBC40AS-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1993
부품 번호
SIHFBC40AS-GE3-DG
단가
0.66
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
NVTFS024N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
IRF624S
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
SUD50P04-08-E3
MOSFET P-CH 40V DPAK
