IRFIBF20G
제조업체 제품 번호:

IRFIBF20G

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

IRFIBF20G-DG

설명:

MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 900 V 1.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3

재고:

12953882
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제출

IRFIBF20G 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8Ohm @ 720mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
30W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
기본 제품 번호
IRFIBF20

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
*IRFIBF20G
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IXTP2N100
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
부품 번호
IXTP2N100-DG
단가
3.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
2SK3566(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
386
부품 번호
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
단가
0.55
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IXFP4N100Q
제조사
IXYS
구매 가능 수량
261
부품 번호
IXFP4N100Q-DG
단가
3.60
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP3NK90ZFP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
799
부품 번호
STP3NK90ZFP-DG
단가
0.48
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFIBF20GPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
988
부품 번호
IRFIBF20GPBF-DG
단가
1.21
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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