제조업체 제품 번호:
IRFIBF30G
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFIBF30G-DG
설명:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12912810
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제출
IRFIBF30G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
35W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
기본 제품 번호
IRFIBF30
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
*IRFIBF30G
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
2SK3798(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
단가
0.51
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
2SK3564(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
176
부품 번호
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
단가
0.54
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP6NK90ZFP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
875
부품 번호
STP6NK90ZFP-DG
단가
1.43
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STF5N95K3
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
968
부품 번호
STF5N95K3-DG
단가
1.34
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFIBF30GPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
888
부품 번호
IRFIBF30GPBF-DG
단가
1.53
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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