제조업체 제품 번호:
IRFUC20PBF
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
IRFUC20PBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
상세 설명:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
재고:
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12913094
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제출
IRFUC20PBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-251AA
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IRFUC20
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
*IRFUC20PBF
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STD2HNK60Z-1
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3054
부품 번호
STD2HNK60Z-1-DG
단가
0.51
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STU2N62K3
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3000
부품 번호
STU2N62K3-DG
단가
0.52
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK2Q60D(Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
190
부품 번호
TK2Q60D(Q)-DG
단가
0.28
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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