제조업체 제품 번호:
SI1012X-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI1012X-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
상세 설명:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
재고:
10778 새로운 원본 재고 있음
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제출
SI1012X-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
500mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±6V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
250mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SC-89-3
패키지 / 케이스
SC-89, SOT-490
기본 제품 번호
SI1012
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI1012XT1GE3
SI1012X-T1-GE3TR
SI1012X-T1-GE3CT
SI1012X-T1-GE3DKR
SI1012X-T1-GE3-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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