제조업체 제품 번호:
SI1072X-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI1072X-T1-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
상세 설명:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
재고:
12919362
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제출
SI1072X-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
280 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
236mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SC-89 (SOT-563F)
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
기본 제품 번호
SI1072
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI1072XT1E3
SI1072X-T1-E3CT
SI1072X-T1-E3TR
SI1072X-T1-E3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SSM6K202FE,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
21141
부품 번호
SSM6K202FE,LF-DG
단가
0.12
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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