제조업체 제품 번호:
SI1427EDH-T1-BE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI1427EDH-T1-BE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
상세 설명:
P-Channel 20 V 2A (Ta), 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
재고:
12945877
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI1427EDH-T1-BE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Ta), 2A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SC-70-6
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
기본 제품 번호
SI1427
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
742-SI1427EDH-T1-BE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
TK125V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
IRF9Z34PBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
IRF630PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB