제조업체 제품 번호:
SI1905BDH-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI1905BDH-T1-E3-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
상세 설명:
Mosfet Array 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6
재고:
12912382
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI1905BDH-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
630mA
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
542mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
62pF @ 4V
전력 - 최대
357mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
SC-70-6
기본 제품 번호
SI1905
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SI1965DH-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
5645
부품 번호
SI1965DH-T1-GE3-DG
단가
0.13
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SI5975DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
SI4906DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
SI4952DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC