제조업체 제품 번호:
SI2306BDS-T1-BE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI2306BDS-T1-BE3-DG
설명:
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
상세 설명:
N-Channel 30 V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
재고:
12977804
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI2306BDS-T1-BE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.16A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
305 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
750mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
742-SI2306BDS-T1-BE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SI2306BDS-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
14595
부품 번호
SI2306BDS-T1-E3-DG
단가
0.16
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
SI3460BDV-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
SI3457CDV-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI2333DS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
