SI2309DS-T1-E3
제조업체 제품 번호:

SI2309DS-T1-E3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI2309DS-T1-E3-DG

설명:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
상세 설명:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

재고:

12915550
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제출

SI2309DS-T1-E3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
340mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.25W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
SI2309

추가 정보

다른 이름들
SI2309DS-T1-E3TR
SI2309DS-T1-E3DKR
SI2309DS-T1-E3CT
SI2309DST1E3
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FDN5618P
제조사
onsemi
구매 가능 수량
31131
부품 번호
FDN5618P-DG
단가
0.11
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
ZXMP6A13FQTA
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
12102
부품 번호
ZXMP6A13FQTA-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
NTR4502PT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
0
부품 번호
NTR4502PT1G-DG
단가
0.07
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMP6350S-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
70321
부품 번호
DMP6350S-7-DG
단가
0.12
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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