제조업체 제품 번호:
SI2365EDS-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI2365EDS-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
상세 설명:
P-Channel 20 V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
재고:
12916275
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제출
SI2365EDS-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
32mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1W (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
SI2365
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI2365EDST1GE3
SI2365EDS-T1-GE3TR
SI2365EDS-T1-GE3CT
SI2365EDS-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RQ5C030TPTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
17508
부품 번호
RQ5C030TPTL-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ5A030APTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
22758
부품 번호
RQ5A030APTL-DG
단가
0.08
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ5A025ZPTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2995
부품 번호
RQ5A025ZPTL-DG
단가
0.17
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PMV27UPER
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
4027
부품 번호
PMV27UPER-DG
단가
0.11
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ5C035BCTCL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
17621
부품 번호
RQ5C035BCTCL-DG
단가
0.13
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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